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- 010 __ |a 978-7-302-67813-7 |d CNY88.00
- 100 __ |a 20250714d2025 ekmy0chiy50 ea
- 200 0_ |a 先进半导体集成设计研究 |f 刘溪,吴美乐,靳晓诗
- 210 __ |c 清华大学出版社 |a 北京 |d 2025
- 215 __ |s 296页 |d 26cm |c 图
- 330 __ |a 本书是作者针对半导体芯片集成单元设计领域所撰写的学术专著,是对作者在该领域科研学术成果的系统性论述。具体内容包括对当前主流以FinFET技术进行改良的先进金属氧化物半导体场效应晶体管集成技术、在开关特性上有质的飞跃的隧道场效应晶体管、利用高肖特基势垒实现的隧道场效应晶体管、可利用单个晶体管实现同或(异或非)逻辑且可实现导电类型切换的可重置晶体管、可以长久保持被重置导电类型的非易失可重置晶体管,以及结构更为简单、单个单元即可实现同或逻辑的可重置肖特基二极管、集成化的先进传感器件设计等方面的研究。