机读格式显示(MARC)

• 000 00741nam 2200157 450

• 001 0000855986

• 010 __ |a 9787030826480 |d 98

• 100 __ |a 20260417d2026 ekmy0chiy50 ea

• 101 0_ |a chi

• 200 0_ |a Ⅲ族氮化物薄膜生长与测试 |f 王文樑编著

• 210 __ |c 科学出版社 |d 2025 |a 北京

• 215 __ |a 231页 |a 24cm

• 330 __ |a 本书聚焦国家半导体战略，系统论述了宽禁带半导体核心材料Ⅲ族氮化物的基础理论、制备技术与性能评估方法。第一篇从晶体结构、物理化学特性出发，解析材料在光电子与高功率器件中的应用机理；第二篇介绍了化学/物理气相沉积技术原理与工艺优化策略；第三篇阐述了光学、电学等性能多维度表征方法。同时，书中结合了研究团队创新成果，为学科发展和产业升级注入新动能。

• 333 __ |a 氮化物薄膜技术研究相关人员

• 606 0_ |a 氮化物 |x 薄膜技术 |x 薄膜技术

• 690 __ |a TB43