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• 010 __ |a 978-7-5766-0153-4 |d CNY58.00

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• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 宽禁带功率半导体器件可靠性 |A kuan jin dai gong lv ban dao ti qi jian ke kao xing |f 孙伟锋 ... [等] 著

• 210 __ |a 南京 |c 东南大学出版社 |d 2024

• 215 __ |a 208页 |c 图 |d 26cm

• 300 __ |a 江苏省“十四五”时期重点出版物出版专项规划项目

• 304 __ |a 题名页题其余责任者: 魏家行, 李胜, 张龙

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书内容共分5章。第1章介绍碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体材料特性、宽禁带功率器件结构发展及面临的可靠性挑战。第2章阐述宽禁带功率器件在电热应力下的可靠性损伤探测表征方法, 力求从宏观和微观两个角度提供对器件损伤位置和机理的有效分析手段。第3章重点讨论了SiC功率MOSFET器件的可靠性, 揭示了器件在高温偏置、雪崩冲击、短路冲击、体二极管续流等恶劣电热冲击下的可靠性机理, 同时介绍了台阶栅氧、浮空浅P阱等若干高可靠SiC功率MOSFET器件新结构。第4章围绕GaN功率HEMT器件可靠性, 阐述了高温偏置、阻性和感性负载开关、短路冲击等电热应力下的器件可靠性机理, 同时也讨论了混合栅、极化超结等若干高可靠GaN功率HEMT器件新结构。第5章构建了碳化硅、氮化镓功率器件电学特性SPICE模型, 同时, 基于上述可靠性研究成果建立了两类宽禁带器件的可靠性寿命模型, 最后介绍了寿命模型与电学特性SPICE模型的EDA软件集成。

• 606 0_ |a 禁带 |A jin dai |x 半导体器件 |x 可靠性 |x 研究

• 690 __ |a TN303 |v 5

• 701 _0 |a 孙伟锋 |A sun wei feng |4 著

• 701 _0 |a 魏家行 |A wei jia xing |4 著

• 701 _0 |a 李胜 |A li sheng |4 著

• 701 _0 |a 张龙 |A zhang long |4 著

• 801 _0 |a CN |b WFKJXY |c 20250621

• 905 __ |a WFKJXY |d TN303/23