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• 010 __ |a 978-7-5669-2213-7 |d CNY45.00

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• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 集成电路工艺实验基础 |A ji cheng dian lu gong yi shi yan ji chu |f 石建军, 郭颖主编

• 210 __ |a 上海 |c 东华大学出版社 |d 2023

• 215 __ |a 164页 |c 图 |d 26cm

• 300 __ |a 高等教育“十四五”部委级规划教材

• 320 __ |a 有书目 (第164页)

• 330 __ |a 本书分3章, 共26个实验, 第1章为基础工艺, 包含真空技术、硅片的清洗及氧化、光刻工艺流程实验教学、氧等离子体刻蚀、等离子体增强化学气相沉积、磁控溅射法制备金属薄膜、原子层沉积法制备纳米薄膜的实验原理及工艺流程; 第2章为检测测量技术, 包含MOSFET 器件特性的测量与分析、椭圆偏振仪测薄膜厚度、紫外可见分光光度计测量亚甲基蓝溶液浓度、傅立叶变换红外光谱法 (FTIR) 测定硅中杂质氧的含量、等离子体朗缪尔探针诊断技术、等离子体发射光谱诊断技术、质谱法测定氧气放电组成成份及能量实验、半导体二极管的伏安特性及温度特性、ICCD 器件的特性研究及应用、四探针法测量相变材料的变温电阻曲线、薄膜厚度和形貌测量; 第3章为工艺基础及应用, 包含表面波等离子体放电实验、脉冲放电等离子体特性实验、低气压容性耦合等离子体特性实验、低气压感性耦合等离子体 (ICP) 特性实验、等离子体晶格、等离子体功能材料制备与光学性能检测、低温等离子体染料废水处理实验、低温等离子体产生 O3 及其应用的实验探索。

• 606 0_ |a 集成电路工艺 |A ji cheng dian lu gong yi |x 实验

• 690 __ |a TN405-33 |v 5

• 701 _0 |a 石建军 |A dan jian jun |4 主编

• 701 _0 |a 郭颖 |A guo ying |4 主编

• 801 _0 |a CN |b WFKJXY |c 20240829

• 905 __ |a WFKJXY |d TN405-33/1