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• 010 __ |a 978-7-122-47754-5 |d CNY99.00

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• 200 1_ |a 氮化镓与碳化硅功率器件 |A dan hua jia yu tan hua gui gong lv qi jian |e 基础原理及应用全解 |f (意) 毛里齐奥·迪保罗·埃米利奥著 |d = GaN and SiC power devices |e from fundamentals to applied design and market analysis |f Maurizio Di Paolo Emilio |g 邓二平, 吴立信, 丁立健译 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 化学工业出版社 |d 2025

• 215 __ |a 195页 |c 图 |d 26cm

• 306 __ |a 由Springer Nature Switzerland AG授权出版

• 314 __ |a 责任者规范汉译姓: 埃米利奥

• 314 __ |a Maurizio Di Paolo Emilio, 物理学博士, 电信工程师, 担任《电力电子新闻》(Power Electronics News)、EEWeb主编, 同时也是《电子工程专辑》(EE Times) 的记者。邓二平, 工学博士, 合肥工业大学教授, 安徽省海外高层次人才, 中国能源学会、电源学会等专家委员,《半导体技术》《电气工程学报》等编委。主要研究方向为功率器件的封装、热设计管理、可靠性评估技术、失效机理、在线状态监测和寿命评估等。

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书内容以实用性为出发点, 阐释了氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 半导体的原理、制造工艺、特性表征、市场现状以及针对关键应用的设计方法。针对GaN器件, 从材料特性、芯片设计、制造工艺和外特性各方面深入分析, 重点介绍了仿真手段和各种典型应用, 最后还介绍了目前主流的技术和GaN公司。SiC器件主要介绍了芯片工艺、芯片技术、可靠性等, 然后针对核心应用, 如新能源汽车、储能等方面进行介绍。

• 510 1_ |a GaN and SiC power devices |e from fundamentals to applied design and market analysis |z eng

• 517 1_ |a 基础原理及应用全解 |A ji chu yuan li ji ying yong quan jie

• 606 0_ |a 氮化镓 |A dan hua jia |x 功率半导体器件

• 690 __ |a TN303 |v 5

• 701 _1 |a 埃米利奥 |A ai mi li ao |g (Emilio, Maurizio Di Paolo) |4 著

• 702 _0 |a 邓二平 |A deng er ping |4 译

• 702 _0 |a 吴立信 |A wu li xin |4 译

• 702 _0 |a 丁立健 |A ding li jian |4 译

• 801 _0 |a CN |b WFKJXY |c 20250819

• 905 __ |a WFKJXY |d TN303/28