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• 010 __ |a 978-7-5767-0544-7 |b 精装 |d CNY128.00

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• 200 1_ |a 半导体材料及器件辐射缺陷与表征方法 |A ban dao ti cai liao ji qi jian fu she que xian yu biao zheng fang fa |d = Characterization methods for radiation induced defects in semiconductor materials and devices |f 李兴冀 ... 等编著 |z eng

• 210 __ |a 哈尔滨 |c 哈尔滨工业大学出版社 |d 2023

• 215 __ |a 401页 |c 图 (部分彩图) |d 25cm

• 225 2_ |a 材料与器件辐射效应及加固技术研究著作 |A cai liao yu qi jian fu she xiao ying ji jia gu ji shu yan jiu zhu zuo

• 300 __ |a 国家出版基金项目 国家出版基金资助项目

• 304 __ |a 题名页题其余责任者: 杨剑群, 徐晓东, 应涛等

• 320 __ |a 有书目和索引

• 330 __ |a 全书共分为4章, 系统阐述了辐射诱导半导体缺陷的相关理论、数值模拟方法、表征技术及应用。空间辐射诱导缺陷是导致电子元器件性能退化的重要原因, 然而辐射诱导缺陷的形成、演化和性质与半导体材料本身物理属性、器件类型及结构密切相关。

• 410 _0 |1 2001 |a 材料与器件辐射效应及加固技术研究著作

• 510 1_ |a Characterization methods for radiation induced defects in semiconductor materials and devices |z eng

• 606 0_ |a 半导体材料 |A ban dao ti cai liao |x 研究

• 606 0_ |a 半导体器件 |A ban dao ti qi jian |x 研究

• 690 __ |a TN304 |v 5

• 690 __ |a TN303 |v 5

• 701 _0 |a 李兴冀 |A li xing ji |4 编著

• 801 _0 |a CN |b WFKJXY |c 20240831

• 905 __ |a WFKJXY |d TN304/6