200 1_ |a 半导体存储与系统 |A ban dao ti cun chu yu xi tong |f (意) 安德烈·雷达利, 法比奥·佩利泽等著 |g 霍宗亮 ... [等] 译

314 __ |a 霍宗亮, 研究员, 具有二十余年存储技术研发经验, 在架构、集成、机理、可靠性和芯片设计等方面形成特。发表论文百余篇, 申请专利数百项。负责了我国三维存储器多个技术代的研发工作。Andrea Redaelli分别于2003年和2007年在意大利米兰理工大学获得电子工程硕士学位和博士学位。在攻读博士学位期间, 他与意法半导体公司合作, 从事相变存储器的研究。从2007年到2019年, 他致力于基于硫族化合物材料的技术研发, 包括独立式相变存储器 (PCM) 和3D Xpoint 技术。自2020年起, 他成为意法半导体公司的研究员, 负责嵌入式相变存储器技术的单元开发工作。他是60多篇论文的作者或共同作者, 拥有120多项美国授权专利。Fabio Pellizzer于1996年在意大利帕多瓦大学获得电子工程硕士学位, 毕业论文课题是薄栅氧化物的表征和可靠性。自2001年以来, 他一直负责基于硫族化合物材料的相变存储器的工艺开发。他在国际期刊和书籍上发表了70多篇论文, 并多次受邀在国际会议上发表演讲。他拥有200多项相变存储器和硫族化合物材料方面的美国和欧洲授权专利 (涉及工艺集成、算法和设计解决方案)。

330 __ |a 本书提供了在各个工艺及系统层次的半导体存储器现状的全面概述。在介绍了市场趋势和存储应用之后, 本书重点介绍了各种主流技术, 详述了它们的现状、挑战和机遇, 并特别关注了可微缩途径。这些述及的技术包括静态随机存取存储器 (SRAM)、动态随机存取存储器 (DRAM)、非易失性存储器 (NVM) 和NAND闪存。本书还提及了嵌入式存储器以及存储级内存 (SCM) 的各项必备条件和系统级需求。每一章都涵盖了物理运行机制、制造技术和可微缩性的主要挑战因素。最后, 本书回顾了SCM的新兴趋势, 主要关注基于相变的存储技术的优势和机遇。