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• 010 __ |a 978-7-5024-9640-1 |d CNY72.00

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• 200 1_ |a 掺杂GaN纳米线制备技术 |A chan za GaN na mi xian zhi bei ji shu |d = Preparation technology of doped GaN nanowires |f 崔真, 吴辉, 李恩玲著 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 冶金工业出版社 |d 2023

• 215 __ |a 158页 |c 图 |d 24cm

• 312 __ |a 英文题名取自封面

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书以西安理工大学光电材料制备与器件设计团队近20年所开展的CaN基材料制备与场发射特性研究为依托, 通过化学气相沉积法可控制备了Te掺杂、Sn掺杂、P掺杂、Ge掺杂、Sb掺杂、C-Sn共掺杂、Se-Te共掺杂GaN纳米线, 阐明了这些掺杂GaN纳米线的合成机理, 发现它们因具有低的功函数而具有优异的光电和场发射特性。

• 510 1_ |a Preparation technology of doped GaN nanowires |z eng

• 606 0_ |a 纳米材料 |A na mi cai liao |x 研究

• 690 __ |a TB383 |v 5

• 701 _0 |a 崔真 |A cui zhen |4 著

• 701 _0 |a 吴辉 |A wu hui |4 著

• 701 _0 |a 李恩玲 |A li en ling |4 著

• 801 _0 |a CN |b WFKJXY |c 20240923

• 905 __ |a WFKJXY |d TB383/171