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• 010 __ |a 978-7-121-44206-3 |d CNY119.00

• 100 __ |a 20221011d2022 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c ita

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• 200 1_ |a 电子器件的电离辐射效应 |A dian zi qi jian de dian li fu she xiao ying |e 从存储器到图像传感器 |d Ionizing radiation effects in electronics |e from memories to imagers |f (意)Marta Bagatin，(意)Simone Gerardin主编 |g 毕津顺[等]译 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 电子工业出版社 |d 2022

• 215 __ |a 20,299页 |c 肖像，图 |d 26cm

• 225 2_ |a 国防电子信息技术丛书 |i 集成电路辐射效应与加固技术系列

• 305 __ |a Taylor & Francis出版集团下CRC出版公司授权出版

• 330 __ |a 本书涵盖了现代半导体的电离辐射效应，探讨了抗辐射加固技术。首先介绍辐射效应的重要背景知识、物理机制、仿真辐射输运的蒙特卡罗技术和电子器件的辐射效应。重点阐述以下内容：商用数字集成电路的辐射效应，包括微处理器、易失性存储器(SRAM和DRAMD)和闪存；数字电路、现场可编程门阵列(FPGA)和混合模拟电路中的软错误效应、总剂量效应、位移损伤效应和设计加固解决方案；纤维光学和成像器件(包括CMOS图像传感器和电荷耦合器件CCD)的辐射效应。

• 410 _0 |1 2001 |a 国防电子信息技术丛书

• 510 1_ |a Ionizing radiation effects in electronics |e from memories to imagers |z eng

• 606 0_ |a 电子器件 |x 电离辐射 |x 研究

• 690 __ |a TN6 |v 5

• 690 __ |a O441.4 |v 5

• 701 _1 |a Bagatin |b Marta |4 主编

• 701 _1 |a Gerardin |b Simone |4 主编

• 702 _0 |a 毕津顺 |A bi jin shun |4 译

• 801 _0 |a CN |b 91MARC |c 20221025

• 905 __ |a WFKJXY |d TN6/52

• 920 __ |a 4370400 |z 1