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• 010 __ |a 978-7-121-40841-0 |d CNY79.00

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• 200 1_ |a 纳米CMOS器件及电路的辐射效应 |A na mi CMOS qi jian ji dian lu de fu she xiao ying |f 刘保军, 刘小强, 刘忠永著

• 210 __ |a 北京 |c 电子工业出版社 |d 2021

• 215 __ |a 253页 |c 图 |d 24cm

• 314 __ |a 刘保军, 博士, 副教授。

• 320 __ |a 有书目 (第252-253页)

• 330 __ |a 本书主要介绍广泛存在的各种辐射对纳米CMOS器件及其电路的影响, 涵盖了各种辐射环境分析、电离损伤机理研究、纳米器件的总剂量效应和单粒子效应的建模仿真、辐射效应对纳米电路的影响及辐照实验设计等, 综合考虑器件特征尺寸缩减对辐射效应的影响, 从器件、电路角度建模分析, 给出了纳电子器件及其电路的辐射效应的分析方法和思路。本书对高”k”栅介质对纳米CMOS器件的辐射效应的影响、新兴的纳米FinFET及纳米线的辐射效应、器件级加固技术进行了分析和讨论, 还给出了单粒子串扰的建模方法以及数字电路在单粒子效应下的软错误率评估方法。

• 606 0_ |a 半导体器件 |A ban dao ti qi jian |x 纳米材料

• 690 __ |a TN303 |v 5

• 701 _0 |a 刘保军, |A liu bao jun |f 1984- |4 著

• 701 _0 |a 刘小强 |A liu xiao qiang |4 著

• 701 _0 |a 刘忠永 |A liu zhong yong |4 著

• 801 _0 |a CN |b WFKJXY |c 20211010

• 905 __ |a WFKJXY |d TN303/5

• 920 __ |a 4370400 |z 1