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• 010 __ |a 978-7-111-68175-5 |d CNY99.00

• 092 __ |b 百万庄15502300874

• 100 __ |a 20210721d2021 em y0chiy50 ea

• 102 __ |a CN |b 110000

• 200 __ |a 碳化硅功率器件 |f 高远, 陈桥梁编著

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2021

• 215 __ |a 487页 |d 26cm

• 330 __ |a 本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法以及应用技术，概括了近年学术界和工业界的最新研究成果。本书共分为9个章节，分别为功率半导体器件的基础，SiCMOSFET参数解读、测试及应用，双脉冲测试，SiC与Si器件特性对比，高di/dt影响与应对—关断电压尖峰，高dv/dt影响与应对—crosstalk，共模电流的影响与应对，共源极电感的影响与应对及驱动电路设计。

• 333 __ |a 电力电子、新能源技术和功率半导体器件等领域的广大工程技术人员和科研工作者，以及从事器件设计、封装、测试、应用专业人员

• 690 __ |a TN303 |v 5

• 701 __ |4 著 |a 高远

• 801 _0 |a CN |b WFKJXY |c 20210929

• 905 __ |a WFKJXY |d TN303/4

• 920 __ |a 4370400 |z 1