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• 010 __ |a 978-7-111-74188-6 |d CNY189.00

• 100 __ |a 20240201d2024 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c gre |c eng

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a afk a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 碳化硅器件工艺核心技术 |A tan hua gui qi jian gong yi he xin ji shu |f (希) 康斯坦丁·泽肯特斯, (英) 康斯坦丁·瓦西列夫斯基等著 |g 贾护军, 段宝兴, 单光宝译

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2024

• 215 __ |a XVI, 411页, [4] 页图版 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 半导体与集成电路关键技术丛书 |A ban dao ti yu ji cheng dian lu guan jian ji shu cong shu

• 300 __ |a 机工电子

• 314 __ |a Konstantinos Zekentes, 希腊研究与技术基金会 (FORTH) 微电子研究小组 (MRG) 高级研究员, Konstantin Vasilevskiy, 英国纽卡斯尔大学工程学院高级研究员。他目前的研究领域是宽禁带半导体技术, 以及石墨烯生长和表征技术。贾护军, 西安电子科技大学教授、博士生导师, 长期从事新型半导体材料与器件方面的教学和科研工作, 发表相关论文七十余篇, 授权发明专利二十余项, 出版专著三部。段宝兴, 西安电子科技大学教授、博士生导师, 从事新型功率半导体器件设计及集成技术研究, 发表相关论文八十余篇, 授权发明专利五十余项, 出版专著三部。单光宝, 西安电子科技大学教授、博士生导师, 中国惯性技术协会常务理事, 国家部委重点项目首席科学家, 长期从事集成电路与微系统教学和科研工作, 发表相关论文五十余篇, 授权发明专利二十余项, 出版专著一部、译著一部。

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书共9章, 以碳化硅 (SiC) 器件工艺为核心, 重点介绍了SiC材料生长、表面清洗、欧姆接触、肖特基接触、离子注入、干法刻蚀、电解质制备等关键工艺技术, 以及高功率SiC单极和双极开关器件、SiC纳米结构的制造和器件集成等, 每一部分都涵盖了上百篇相关文献, 以反映这些方面的最新成果和发展趋势。

• 410 _0 |1 2001 |a 半导体与集成电路关键技术丛书

• 606 0_ |a 功率半导体器件 |A gong lv ban dao ti qi jian |x 研究

• 690 __ |a TN303 |v 5

• 701 _1 |a 泽肯特斯 |A ze ken te si |g (Zekentes, Konstantinos) |4 著

• 701 _1 |a 瓦西列夫斯基 |A wa xi lie fu si ji |g (Vasilevskiy, Konstantin) |4 著

• 702 _0 |a 贾护军 |A shan hu jun |4 译

• 702 _0 |a 段宝兴 |A duan bao xing |4 译

• 702 _0 |a 单光宝 |A dan guang bao |4 译

• 801 _0 |a CN |b WFKJXY |c 20240711

• 905 __ |a WFKJXY |d TN303/10