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• 010 __ |a 978-7-5606-7503-9 |d CNY47.00

• 100 __ |a 20250512d2025 em y0chiy50 ea

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• 102 __ |a CN |b 610000

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• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 硅基半导体应变理论与生长动力学 |A gui ji ban dao ti ying bian li lun yu sheng zhang dong li xue |f 戴显英等著

• 210 __ |a 西安 |c 西安电子科技大学出版社 |d 2025

• 215 __ |a 189页 |c 图 |d 26cm

• 300 __ |a 国家自然科学基金资助 中央高校基本科研业务费专项资金资助

• 320 __ |a 有书目 (第178-189页)

• 330 __ |a 本书分为9章, 主要内容包括硅基半导体应变理论与技术、硅基半导体应变能带理论与空间群、应变锗能带结构计算、硅基半导体应变弹塑性力学理论、临界带隙应变Ge1-xSnx合金能带特性与迁移率计算、硅基半导体应变材料的RPCVD计算流体动力学模拟研究、硅基半导体应变材料CVD生长机理与生长动力学模型、硅基半导体应变材料的缺陷形成机理与控制方法、硅基半导体应变材料的生长动力学与制备实验等。

• 606 0_ |a 硅基材料 |A gui ji cai liao |x 半导体物理学 |x 研究

• 690 __ |a O47 |v 5

• 701 _0 |a 戴显英 |A dai xian ying |4 著

• 801 _0 |a CN |b WFKJXY |c 20250819

• 905 __ |a WFKJXY |d O47/8