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• 010 __ |a 978-7-03-068516-2 |d CNY145.00

• 092 __ |a CN |b 人天989-2444

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• 200 1_ |a 硅锗低维材料可控生长 |f 马英杰等著

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2021

• 215 __ |a 255页 |d 26cm

• 225 2_ |a 先进功能材料丛书

• 330 __ |a 本书首先简要介绍低维异质半导体材料及其物理性质，概述刻蚀和分子束外延生长两种基本的低维半导体材料制备方法，简要说明分子束外延技术设备的工作原理和低维异质结构的外延生长过程及其工艺发展。接着分别从热力学和动力学的角度详细阐述了硅锗低维结构的外延生长机理及其相关理论，重点讨论图形衬底上的硅锗低维结构可控生长理论和硅锗低维结构的可控外延生长技术。并结合丰富的硅锗纳米结构可控生长实例，详细讨论图形硅衬底和斜切硅衬底上低维材料的可控外延生长及其生长机理。最后，简要介绍可控硅锗低维结构的光电特性及其器件与集成应用研究，并展望基于可控外延生长量子点的新型器件。

• 333 __ |a 本书可供从事半导体低维材料方面工作的研究生、科研人员及工程技术人员阅读，也可作为其他涉及此领域人员的参考书

• 606 0_ |a 半导体材料 |x 纳米材料 |x 研究

• 690 __ |a TN304 |v 5

• 690 __ |a TB383 |v 5

• 701 _0 |a 马英杰 |4 著

• 801 _0 |a CN |b 人天书店 |c 20210811

• 905 __ |a WFKJXY |d TN304/2

• 920 __ |a 4370400 |z 1