机读格式显示(MARC)

• 000 01400oam2 2200361 450

• 001 0000166055

• 005 20140920095327.0

• 010 __ |a 978-7-111-41727-9 |d CNY98.00

• 100 __ |a 20130801d2013 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c ger

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a y z 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 功率半导体器件 |9 gong lv ban dao ti qi jian |e 原理、特性和可靠性 |f (德)Josef Lutz[等]著 |g 卞抗，杨莺，刘静译

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2013

• 215 __ |a 11,435页 |d 24cm

• 225 2_ |a 国际电气工程先进技术译丛

• 304 __ |a 著者还有：Heinrich Schlangenotto ，Uwe Scheuermann ，Rik De Doncker

• 305 __ |a 由Springer授权出版

• 312 __ |a 封面英文题名：Semiconductor power devices: physics, characteristics, reliability

• 330 __ |a 本书介绍了功率半导体器件的原理、特性和可靠性技术，器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件，包括二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT和功率继承器件等。

• 461 _0 |1 2001 |a 国际电气工程先进技术译丛

• 510 1_ |a Semiconductor power devices: physics, characteristics, reliability |z eng

• 606 0_ |a 功率半导体器件

• 690 __ |a TN303 |v 5

• 701 _0 |c (德) |a 卢茨 |9 lu ci |c (Lutz, Josef) |4 著

• 702 _0 |a 卞抗 |9 bian kang |4 译

• 702 _0 |a 杨莺 |9 yang ying |4 译

• 702 _0 |a 刘静 |9 liu jing |c (半导体器件) |4 译

• 801 _0 |a CN |b WFKJXY |c 20140929

• 905 __ |a WFKJXY |d TN303/2

• 906 __ |a WFKJXY |b TN303/2

• 920 __ |a 4370400 |z 1