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• 000 01497nam 2200301 450

• 001 0000747492

• 005 20240912204900.0

• 010 __ |a 978-7-03-071274-5 |d CNY119.00

• 100 __ |a 20230511d2023 em y0chiy50 ea

• 101 0_ |a chi

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a a a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 压接型IGBT器件封装可靠性建模与测评 |A ya jie xing IGBT qi jian feng zhuang ke kao xing jian mo yu ce ping |f 李辉 ... [等] 著

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2023

• 215 __ |a 177页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a “大功率电力电子器件及装备可靠性研究”系列 |A “da gong lu^ dian li dian zi qi jian ji zhuang bei ke kao xing yan jiu ”xi lie

• 304 __ |a 题名页题其余责任者: 姚然, 向学位, 赖伟, 王晓, 李金元

• 306 __ |a 国家科学技术学术著作出版基金资助出版

• 314 __ |a 李辉, 博士, 重庆大学教授、博士生导师。

• 320 __ |a 有书目 (第174-177页)

• 330 __ |a 本书介绍了压接型IGBT器件的发展趋势与封装可靠性研究现状, 总结了压接型IGBT器件不同封装结构与失效模式, 提出了压接型IGBT器件多物理场建模与性能仿真方法, 建立了压接型IGBT器件封装疲劳失效物理场模型, 提出了压接型IGBT器件封装可靠性计算方法, 研制了压接型IGBT器件动静态、功率循环、短路冲击测试平台, 构建了银烧结压接型IGBT器件封装老化失效与可靠性评估模型。

• 410 _0 |1 2001 |a “大功率电力电子器件及装备可靠性研究”系列

• 606 0_ |a 绝缘栅场效应晶体管 |A jue yuan zha chang xiao ying jing ti guan |x 封装工艺 |x 可靠性试验

• 690 __ |a TN386.205 |v 5

• 701 _0 |a 李辉 |A li hui |4 著

• 801 _0 |a CN |b WFKJXY |c 20240912

• 905 __ |a WFKJXY |d TN386.205/1