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• 000 01551nam 2200301 450

• 001 0000725354

• 005 20240906090500.0

• 010 __ |a 978-7-5767-0541-6 |b 精装 |d CNY98.00

• 100 __ |a 20230912d2023 em y0chiy50 ea

• 101 0_ |a chi

• 102 __ |a CN |b 230000

• 105 __ |a a a 001yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 宇航MOSFET器件单粒子辐射加固技术与实践 |A yu hang MOSFET qi jian dan li zi fu she jia gu ji shu yu shi jian |d = Single event effect hardening technique and practice on aerospace power MOSFETs |f 付晓君 ... [等] 编著 |z eng

• 210 __ |a 哈尔滨 |c 哈尔滨工业大学出版社 |d 2023

• 215 __ |a 250页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 材料与器件辐射效应及加固技术研究著作 |A Cai Liao Yu Qi Jian Fu She Xiao Ying Ji Jia Gu Ji Shu Yan Jiu Zhu Zuo

• 300 __ |a 国家出版基金资助项目

• 304 __ |a 题名页题其余责任者: 魏佳男, 吴昊, 唐昭焕, 谭开洲

• 320 __ |a 有书目和索引

• 330 __ |a 本书系统介绍宇航MOSFET器件的单粒子效应机理和加固技术。全书共6章, 主要内容包括空间辐射环境与基本辐射效应、宇航MOSFET器件的空间辐射效应及损伤模型、宇航MOSFET器件抗单粒子辐射加固技术、宇航MOSFET器件测试技术与辐照试验, 并以一款宇航VDMOS器件为实例, 详述了抗单粒子加固样品的结构设计和制造工艺细节, 最后介绍宇航MOSFET器件的应用及发展趋势。

• 410 _0 |1 2001 |a 材料与器件辐射效应及加固技术研究著作

• 510 1_ |a Single event effect hardening technique and practice on aerospace power MOSFETs |z eng

• 606 0_ |a 功率MOSFET |A Gong Lv Mosfet |x 抗辐射性 |x 研究

• 690 __ |a TN323 |v 5

• 701 _0 |a 付晓君 |A fu xiao jun |4 编著

• 801 _0 |a CN |b WFKJXY |c 20240830

• 905 __ |a WFKJXY |d TN323/1