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• 010 __ |a 978-7-115-66135-7 |b 精装 |d CNY149.00

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• 200 1_ |a 铁电负电容场效应晶体管 |A tie dian fu dian rong chang xiao ying jing ti guan |d = Ferroelectric negative capacitance field effect transistor |f 周久人, 韩根全, 郝跃著 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 人民邮电出版社 |d 2025

• 215 __ |a 240页 |c 彩图 |d 25cm

• 225 2_ |a 电子信息前沿专著系列 |A dian zi xin xi qian yan zhuan zhu xi lie |h 第二期

• 300 __ |a 国家出版基金项目

• 314 __ |a 周久人，西安电子科技大学教授，博士生导师，国家级青年人才、小米青年学者，杭州市B类高层次人才，中国电子学会会员、IEEE会员。在

• 314 __ |a 根全，西安电子科技大学教授，西安电子科技大学杭州研究院后摩尔器件与芯片实验室主任，国家级人才。

• 314 __ |a 郝跃，中国科学院院士，西安电子科技大学教授、博士生导师，微电子技术领域专家，教育部高等学校电子信息类专业教学指导委员会主任委员。

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书介绍负电容场效应晶体管发展的必要性、历程、通过逐步解析器件工作原理、设计规则、核心物理效应机理等问题，为后摩尔时代集成电路产业的新型低功耗器件研究提供理论支撑和技术参考。具体内容包括低功耗应用发展现状及负电容场效应晶体管、负电容场效应晶体管工作原理、负电容场效应晶体管制备、表征及典型特性、电容匹配原则、负微分电阻效应、负电容场效应晶体管频率响应特性、负电容效应，以及对负电容场效应晶体管研究的总结与展望。

• 410 _0 |1 2001 |a 电子信息前沿专著系列 |h 第二期

• 510 1_ |a Ferroelectric negative capacitance field effect transistor |z eng

• 606 0_ |a 铁电晶体 |A tie dian jing ti |x 场效应晶体管 |x 研究

• 690 __ |a TN386 |v 5

• 701 _0 |a 周久人 |A zhou jiu ren |4 著

• 701 _0 |a 韩根全 |A han gen quan |4 著

• 701 _0 |a 郝跃 |A hao yue |4 著

• 801 _0 |a CN |b WFKJXY |c 20250904

• 905 __ |a WFKJXY |d TN386/2