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• 005 20161028184855.0

• 010 __ |a 978-7-111-52184-6 |d CNY59.90

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• 100 __ |a 20160309d2016 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

• 102 __ |a CN |b 110000

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• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 纳米CMOS集成电路中的小延迟缺陷检测 |b 专著 |f (美)戈埃尔(Goel, S. K.)，(印)查克拉巴蒂(Chakrabarty, K.)主编 |g 续海涛等译

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2016

• 215 __ |a 13,191页 |d 24cm

• 225 1_ |a 国际信息工程先进技术译丛

• 312 __ |a Testing for Small-Delay Defects in Nanoscale CMOS Integrated Circuits

• 330 __ |a 设计方法和工艺技术的革新使得集成电路的复杂度持续增加。现代集成电路（IC）的高复杂度和纳米尺度特征极易使其在制造过程中产生缺陷，同时也会引发性能和质量问题。本书包含了测试领域的许多常见问题，比如制程偏移、供电噪声、串扰、电阻性开路/电桥以及面向制造的设计（DfM）相关的规则违例等。本书也旨在讲述小延迟缺陷（SDD）的测试方法，由于SDD能够引起电路中的关键路径和非关键路径的瞬间时序失效，对其的研究和筛选测试方案的提出具有重大的意义。本书分为4个部分：第1部分主要介绍了时序敏感自动测试向量生成（ATPG）；

• 510 1_ |a 书名原文：Testing for Small-Delay Defects in Nanoscale CMOS Integrated Circuits |z eng

• 606 0_ |a 纳米材料 |x MOS集成电路 |x 缺陷检测

• 690 __ |a TN432 |v 5

• 801 __ |a CN |b WFKJXY |c 20161105

• 905 __ |a WFKJXY |d TN432/3

• 906 __ |a 1456512 |b TN432/3 |c 00014 |d 59.90 |a 1456513 |b TN432/3 |c 00014 |d 59.90 |a 1456514 |b TN432/3 |c 00014 |d 59.90

• 920 __ |a 4370400 |z 1