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• 010 __ |a 978-7-03-080958-2 |b 精装 |d CNY158.00

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• 200 1_ |a 硅基氮化镓外延材料与芯片 |A gui ji dan hua jia wai yan cai liao yu xin pian |f 李国强著

• 210 __ |a 北京 |c 科学出版社 |d 2025

• 215 __ |a xi, 263页 |c 图 |d 25cm

• 225 2_ |a 半导体科学与技术丛书 |A ban dao ti ke xue yu ji shu cong shu

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书共8章。其中, 第1章介绍Si基GaN材料与芯片的研究意义, 着重分析了GaN材料的性质和Si基GaN外延材料与芯片制备的发展历程。第2章从Si基GaN材料生长机理出发, 依次介绍了GaN薄膜、GaN量子点、GaN纳米线和二维GaN生长所面临的技术难点及对应的生长技术调控手段。第3-7章依次介绍了Si基GaNLED芯片、Si基GaN高电子迁移率晶体管、Si基GaN肖特基二极管、Si基GaN光电探测芯片和Si基GaN光电解水芯片的工作原理、技术瓶颈、制备工艺以及芯片性能调控技术, 并介绍了上述各种Si基GaN芯片的应用与发展趋势。第8章对Si基GaN集成芯片技术进行了阐述。

• 410 _0 |1 2001 |a 半导体科学与技术丛书

• 606 0_ |a 硅基材料 |A gui ji cai liao |x 氮化镓 |x 芯片

• 690 __ |a TN304.2 |v 5

• 690 __ |a TN43 |v 5

• 701 _0 |a 李国强 |A li guo qiang |4 著

• 801 _0 |a CN |b WFKJXY |c 20250720

• 905 __ |a WFKJXY |d TN304.2/3