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• 005 20200420115311

• 010 __ |a 978-7-302-53134-0 |d CNY118.00

• 092 __ |b 91MARC

• 100 __ |a 20200417d2020 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a ak a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 三维存储芯片技术 |d = 3D flash memories |z eng |f Rino Micheloni著 |f (圣马) 里诺·米歇洛尼著 |g 吴华强, 高滨, 钱鹤译 |A san wei cun chu xin pian ji shu

• 210 __ |a 北京 |c 清华大学出版社 |d 2020

• 215 __ |a xv, 277页 |c 图 |d 26cm

• 225 2_ |a 新视野电子电气科技丛书 |A xin shi ye dian zi dian qi ke ji cong shu

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书是关于三维存储器的专业书籍, 着眼于3D NAND闪存技术发展的未来, 结合3D NAND闪存技术和固态硬盘的市场趋势, 全面介绍了3D NAND闪存技术的工作原理、器件架构、工艺与应用等, 同时也覆盖三维阻变存储器等前沿内容, 是3D NAND闪存技术领域的一部不可多得的系统研究著作。

• 333 __ |a 电子电气相关领域科研人员

• 410 _0 |a 新视野电子电气科技丛书 |1 2001

• 500 10 |a 3D flash memories |m Chinese

• 606 0_ |a 集成芯片 |x 研究 |A ji cheng xin pian

• 690 __ |a TN43 |v 5

• 701 _1 |a 米歇洛尼 |g (Micheloni, Rino) |4 著 |A mi xie luo ni

• 702 _0 |a 吴华强 |4 译 |A wu hua qiang

• 702 _0 |a 钱鹤 |4 译 |A qian he

• 702 _0 |a 高滨 |4 译 |A gao bin

• 801 _0 |a CN |b WFKJXY |c 20201117

• 905 __ |a WFKJXY |d TN43/5

• 920 __ |a 4370400 |z 1