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• 010 __ |a 978-7-111-76585-1 |d CNY129.00

• 100 __ |a 20250108d2025 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a a a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a CMOS纳米电子学 |A CMOS na mi dian zi xue |e 模拟和射频超大规模集成电路 |f (加) 克日什托夫·伊涅夫斯基主编 |d = СMOS nanoelectronics |e analog and RF VLSI circuits |f Krzysztof Iniewski |g 张德明 ... [等] 译 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2025

• 215 __ |a 437页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 集成电路大师级系列 |A ji cheng dian lu da shi ji xi lie

• 314 __ |a 克日什托夫·伊涅夫斯基, 博士,Redlen 技术公司研发主管, CMOS新兴技术公司执行理事, 资深电子工程师。张德明, 博士, 北京航空航天大学集成电路科学与工程学院副教授, 博士生导师, 入选中国博士后创新人才支持计划, 山东省泰山学者青年专家。伍连博, 博士, 北京航空航天大学集成电路科学与工程学院副教授, 博士生导师, 国家级高层次青年人才。张慧, 博士, 北京航空航天大学集成电路科学与工程学院研究员, 博士生导师, 国家级高层次人才。

• 320 __ |a 有书目 (第436-437页)

• 330 __ |a 本书主要分为三部分: 射频电路、高速电路和高精度电路。射频电路部分首先介绍了纳米级CMOS电路设计所面临的挑战以及面临的主要设计问题 ; 其次详细介绍了射频收发器设计 (包括混频器、局部振荡器、功率放大器等关键模块) 、全数字射频信号发生器设计、倍频器和射频信号滤波器的设计, 以及功率放大器的设计。高速电路部分介绍了串行输入/输出链路设计、锁相环相关概念和原理、延迟锁相环的设计, 以及数字时钟信号发生器的设计与实现。高精度电路部分介绍了纳米工艺下模拟电路设计所面临的挑战、1/f降噪技术、ΣΔ设计, 以及用于电力线通信的模/数转换器。

• 410 _0 |1 2001 |a 集成电路大师级系列

• 500 10 |a СMOS nanoelectronics : analog and RF VLSI circuits |A Сmos Nanoelectronics : Analog And Rf Vlsi Circuits |m Chinese

• 517 1_ |a 模拟和射频超大规模集成电路 |A mo ni he she pin chao da gui mo ji cheng dian lu

• 606 0_ |a 纳米材料 |A na mi cai liao |x CMOS电路 |x 超大规模集成电路 |x 电路设计

• 690 __ |a TN432.02 |v 5

• 701 _1 |a 伊涅夫斯基 |A yi nie fu si ji |g (Iniewski, Krzysztof) |4 主编

• 702 _0 |a 张德明 |A zhang de ming |4 译

• 801 _0 |a CN |b WFKJXY |c 20250621

• 905 __ |a WFKJXY |d TN432.02/9