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• 010 __ |a 978-7-111-65981-5 |d CNY99.00

• 092 __ |b 百万庄15502300008

• 100 __ |a 20200918d2020 em y0chiy50 ea

• 102 __ |a CN |b 110000

• 200 __ |a 用于集成电路仿真和设计的FinFET建模 |f (印度)尤盖希·辛格·楚罕(Yogesh Singh Chauhan)著

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2020

• 215 __ |a 239页 |d 24cm

• 225 __ |a 微电子与集成电路先进技术丛书

• 330 __ |a 本书从三维结构的原理、物理效应入手，详细讨论了FinFET紧凑模型（BSIM-CMG）产生的背景、原理、参数以及实现方法；同时讨论了在模拟和射频集成电路设计中所采用的仿真模型。本书避开了繁杂的公式推导，而进行了更为直接的机理分析，力求使得读者从工艺、器件层面理解BSIM-CMG的特点和使用方法。

• 333 __ |a 微电子学与固体电子学、电子信息工程等专业高年级本科生、研究生，以及相关领域的工程师

• 690 __ |a TN402 |v 5

• 701 __ |4 著 |a 楚罕

• 702 __ |a 陈铖颖

• 801 __ |a CN |b 北京百万庄图书大厦 |c 2020

• 905 __ |a WFKJXY |d TN402/9

• 920 __ |a 4370400 |z 1