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题名/责任者:

铁电负电容场效应晶体管/周久人, 韩根全, 郝跃著

出版发行项:

北京:人民邮电出版社,2025

ISBN及定价:

978-7-115-66135-7 精装/CNY149.00

载体形态项:

240页:彩图;25cm

并列正题名:

Ferroelectric negative capacitance field effect transistor

丛编项:

电子信息前沿专著系列.第二期

个人责任者:

周久人 著

个人责任者:

韩根全 著

个人责任者:

郝跃 著

学科主题:

铁电晶体-场效应晶体管-研究

中图法分类号:

TN386

一般附注:

国家出版基金项目

责任者附注:

周久人，西安电子科技大学教授，博士生导师，国家级青年人才、小米青年学者，杭州市B类高层次人才，中国电子学会会员、IEEE会员。在

责任者附注:

根全，西安电子科技大学教授，西安电子科技大学杭州研究院后摩尔器件与芯片实验室主任，国家级人才。

责任者附注:

郝跃，中国科学院院士，西安电子科技大学教授、博士生导师，微电子技术领域专家，教育部高等学校电子信息类专业教学指导委员会主任委员。

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书介绍负电容场效应晶体管发展的必要性、历程、通过逐步解析器件工作原理、设计规则、核心物理效应机理等问题，为后摩尔时代集成电路产业的新型低功耗器件研究提供理论支撑和技术参考。具体内容包括低功耗应用发展现状及负电容场效应晶体管、负电容场效应晶体管工作原理、负电容场效应晶体管制备、表征及典型特性、电容匹配原则、负微分电阻效应、负电容场效应晶体管频率响应特性、负电容效应，以及对负电容场效应晶体管研究的总结与展望。

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