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题名/责任者:

氮化镓与碳化硅功率器件:基础原理及应用全解/(意) 毛里齐奥·迪保罗·埃米利奥著 邓二平, 吴立信, 丁立健译

出版发行项:

北京:化学工业出版社,2025

ISBN及定价:

978-7-122-47754-5/CNY99.00

载体形态项:

195页:图;26cm

并列正题名:

GaN and SiC power devices:from fundamentals to applied design and market analysis

其它题名:

基础原理及应用全解

个人责任者:

埃米利奥 (Emilio, Maurizio Di Paolo) 著

个人次要责任者:

邓二平 译

个人次要责任者:

吴立信 译

个人次要责任者:

丁立健 译

学科主题:

氮化镓-功率半导体器件

中图法分类号:

TN303

出版发行附注:

由Springer Nature Switzerland AG授权出版

责任者附注:

责任者规范汉译姓: 埃米利奥

责任者附注:

Maurizio Di Paolo Emilio, 物理学博士, 电信工程师, 担任《电力电子新闻》(Power Electronics News)、EEWeb主编, 同时也是《电子工程专辑》(EE Times) 的记者。邓二平, 工学博士, 合肥工业大学教授, 安徽省海外高层次人才, 中国能源学会、电源学会等专家委员,《半导体技术》《电气工程学报》等编委。主要研究方向为功率器件的封装、热设计管理、可靠性评估技术、失效机理、在线状态监测和寿命评估等。

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书内容以实用性为出发点, 阐释了氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 半导体的原理、制造工艺、特性表征、市场现状以及针对关键应用的设计方法。针对GaN器件, 从材料特性、芯片设计、制造工艺和外特性各方面深入分析, 重点介绍了仿真手段和各种典型应用, 最后还介绍了目前主流的技术和GaN公司。SiC器件主要介绍了芯片工艺、芯片技术、可靠性等, 然后针对核心应用, 如新能源汽车、储能等方面进行介绍。

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