MARC状态：审校 文献类型：中文图书 浏览次数：15
- 题名/责任者:
- 硅基氮化镓外延材料与芯片/李国强著
- 出版发行项:
- 北京:科学出版社,2025
- ISBN及定价:
- 978-7-03-080958-2 精装/CNY158.00
- 载体形态项:
- xi, 263页:图;25cm
- 丛编项:
- 半导体科学与技术丛书
- 个人责任者:
- 李国强 著
- 学科主题:
- 硅基材料-氮化镓-芯片
- 中图法分类号:
- TN304.2
- 中图法分类号:
- TN43
- 书目附注:
- 有书目
- 提要文摘附注:
- 本书共8章。其中, 第1章介绍Si基GaN材料与芯片的研究意义, 着重分析了GaN材料的性质和Si基GaN外延材料与芯片制备的发展历程。第2章从Si基GaN材料生长机理出发, 依次介绍了GaN薄膜、GaN量子点、GaN纳米线和二维GaN生长所面临的技术难点及对应的生长技术调控手段。第3-7章依次介绍了Si基GaNLED芯片、Si基GaN高电子迁移率晶体管、Si基GaN肖特基二极管、Si基GaN光电探测芯片和Si基GaN光电解水芯片的工作原理、技术瓶颈、制备工艺以及芯片性能调控技术, 并介绍了上述各种Si基GaN芯片的应用与发展趋势。第8章对Si基GaN集成芯片技术进行了阐述。
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| 索书号 | 条码号 | 年卷期 | 馆藏地 | 书刊状态 | 还书位置 |
| TN304.2/3 | 2371663 |  自然科学书库-四楼西北
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可借 | 自然科学书库-四楼西北 |
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