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题名/责任者:

宽禁带功率半导体器件可靠性/孙伟锋 ... [等] 著

出版发行项:

南京:东南大学出版社,2024

ISBN及定价:

978-7-5766-0153-4/CNY58.00

载体形态项:

208页:图;26cm

个人责任者:

孙伟锋 著

个人责任者:

魏家行 著

个人责任者:

李胜 著

个人责任者:

张龙 著

学科主题:

禁带-半导体器件-可靠性-研究

中图法分类号:

TN303

一般附注:

江苏省“十四五”时期重点出版物出版专项规划项目

题名责任附注:

题名页题其余责任者: 魏家行, 李胜, 张龙

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书内容共分5章。第1章介绍碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体材料特性、宽禁带功率器件结构发展及面临的可靠性挑战。第2章阐述宽禁带功率器件在电热应力下的可靠性损伤探测表征方法, 力求从宏观和微观两个角度提供对器件损伤位置和机理的有效分析手段。第3章重点讨论了SiC功率MOSFET器件的可靠性, 揭示了器件在高温偏置、雪崩冲击、短路冲击、体二极管续流等恶劣电热冲击下的可靠性机理, 同时介绍了台阶栅氧、浮空浅P阱等若干高可靠SiC功率MOSFET器件新结构。第4章围绕GaN功率HEMT器件可靠性, 阐述了高温偏置、阻性和感性负载开关、短路冲击等电热应力下的器件可靠性机理, 同时也讨论了混合栅、极化超结等若干高可靠GaN功率HEMT器件新结构。第5章构建了碳化硅、氮化镓功率器件电学特性SPICE模型, 同时, 基于上述可靠性研究成果建立了两类宽禁带器件的可靠性寿命模型, 最后介绍了寿命模型与电学特性SPICE模型的EDA软件集成。

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