MARC状态：审校 文献类型：中文图书 浏览次数：10
- 题名/责任者:
- 晶圆级应变SOI技术/戴显英，苗东铭，荊熠博著
- 出版发行项:
- 西安:西安电子科技大学出版社,2024
- ISBN及定价:
- 978-7-5606-7406-3/CNY37.00
- 载体形态项:
- 150页:图;26cm
- 个人责任者:
- 戴显英 著
- 个人责任者:
- 苗东铭 著
- 个人责任者:
- 荊熠博 著
- 学科主题:
- 集成电路工艺
- 中图法分类号:
- TN405
- 一般附注:
- 国家自然科学基金项目资助
- 提要文摘附注:
- 本书共分7章，主要介绍SOI晶圆制备技术、SOI晶圆材料力学特性与结构特性、机械致晶圆级单轴应变SOI技术、高应力氮化硅薄膜致晶圆级应变SOI技术及其相关效应、高应力氮化硅薄膜致应变SOI晶圆制备、晶圆级应变SOI应变模型、晶圆级应变SOI应力分布的有限元计算。
- 使用对象附注:
- 本书主要面向硅基应变半导体理论与技术领域的研究者，同时也可作为本科微电子科学与工程专业和研究生微电子学与固体电子学专业相关课程的教学参考书
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| 索书号 | 条码号 | 年卷期 | 馆藏地 | 书刊状态 | 还书位置 |
| TN405/17 | 2275872 |  自然科学书库-四楼西北
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可借 | 自然科学书库-四楼西北 | |
| TN405/17 | 2275873 | 自然科学书库-四楼西北
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可借 | 自然科学书库-四楼西北 | |
| TN405/17 | 2275874 | 自然科学书库-四楼西北
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可借 | 自然科学书库-四楼西北 |
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