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题名/责任者:

碳化硅功率模块设计:先进性、鲁棒性和可靠性/(日) 阿尔贝托·卡斯特拉齐, (意) 安德里亚·伊拉斯等著 曾正 ... [等] 译

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2024

ISBN及定价:

978-7-111-76654-4/CNY119.00

载体形态项:

247页:彩图;24cm

统一题名:

SiC power module design : performance, robustness and reliability

丛编项:

集成电路科学与工程丛书

个人责任者:

卡斯特拉齐 (Castellazzi, Alberto) 著

个人责任者:

伊拉斯 (Irace, Andrea) 著

个人次要责任者:

曾正 译

个人次要责任者:

孙鹏 译

个人次要责任者:

牛富丽 译

学科主题:

功率半导体器件

中图法分类号:

TN303

一般附注:

CMP BOOKS

题名责任附注:

题名页题其余责任者：孙鹏、牛富丽、邹铭锐

相关题名附注:

版权页题英文题名：SiC power module design: performance, robustness and reliability

责任者附注:

阿尔贝托·卡斯特拉齐(Alberto Castellazzi)，是日本京都先端科学大学的教授，他的研究集中在先进固态功率处理技术，包括宽禁带半导体器件的表征和应用。

责任者附注:

Andrea lrace，是意大利那不勒斯费德里科二世大学的电子学教授，他的研究集中在宽禁带电力电子器件的建模和仿真。

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书详细介绍了多芯片SiCMOSFET功率模块设计所面临的物理挑战及相应的工程解决方案，主要内容包括多芯片功率模块、功率模块设计及应用、功率模块优化设计、功率模块寿命评估方法、耐高温功率模块、功率模块先进评估技术、功率模块退化监测技术、功率模块先进热管理方案、功率模块新兴的封装技术等。本书所有章节均旨在提供关于多芯片SiCMOSFET功率模块定制开发相关的系统性指导，兼具理论价值和实际应用价值。

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