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题名/责任者:

压接型IGBT器件封装可靠性建模与测评/李辉 ... [等] 著

出版发行项:

北京:科学出版社,2023

ISBN及定价:

978-7-03-071274-5/CNY119.00

载体形态项:

177页:图;24cm

丛编项:

“大功率电力电子器件及装备可靠性研究”系列

个人责任者:

李辉 著

学科主题:

绝缘栅场效应晶体管-封装工艺-可靠性试验

中图法分类号:

TN386.205

题名责任附注:

题名页题其余责任者: 姚然, 向学位, 赖伟, 王晓, 李金元

出版发行附注:

国家科学技术学术著作出版基金资助出版

责任者附注:

李辉, 博士, 重庆大学教授、博士生导师。

书目附注:

有书目 (第174-177页)

提要文摘附注:

本书介绍了压接型IGBT器件的发展趋势与封装可靠性研究现状, 总结了压接型IGBT器件不同封装结构与失效模式, 提出了压接型IGBT器件多物理场建模与性能仿真方法, 建立了压接型IGBT器件封装疲劳失效物理场模型, 提出了压接型IGBT器件封装可靠性计算方法, 研制了压接型IGBT器件动静态、功率循环、短路冲击测试平台, 构建了银烧结压接型IGBT器件封装老化失效与可靠性评估模型。

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