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题名/责任者:

碳化硅器件工艺核心技术/(希) 康斯坦丁·泽肯特斯, (英) 康斯坦丁·瓦西列夫斯基等著 贾护军, 段宝兴, 单光宝译

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2024

ISBN及定价:

978-7-111-74188-6/CNY189.00

载体形态项:

XVI, 411页, [4] 页图版:图;24cm

丛编项:

半导体与集成电路关键技术丛书

个人责任者:

泽肯特斯 (Zekentes, Konstantinos) 著

个人责任者:

瓦西列夫斯基 (Vasilevskiy, Konstantin) 著

个人次要责任者:

贾护军 译

个人次要责任者:

段宝兴 译

个人次要责任者:

单光宝 译

学科主题:

功率半导体器件-研究

中图法分类号:

TN303

一般附注:

机工电子

责任者附注:

Konstantinos Zekentes, 希腊研究与技术基金会 (FORTH) 微电子研究小组 (MRG) 高级研究员, Konstantin Vasilevskiy, 英国纽卡斯尔大学工程学院高级研究员。他目前的研究领域是宽禁带半导体技术, 以及石墨烯生长和表征技术。贾护军, 西安电子科技大学教授、博士生导师, 长期从事新型半导体材料与器件方面的教学和科研工作, 发表相关论文七十余篇, 授权发明专利二十余项, 出版专著三部。段宝兴, 西安电子科技大学教授、博士生导师, 从事新型功率半导体器件设计及集成技术研究, 发表相关论文八十余篇, 授权发明专利五十余项, 出版专著三部。单光宝, 西安电子科技大学教授、博士生导师, 中国惯性技术协会常务理事, 国家部委重点项目首席科学家, 长期从事集成电路与微系统教学和科研工作, 发表相关论文五十余篇, 授权发明专利二十余项, 出版专著一部、译著一部。

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书共9章, 以碳化硅 (SiC) 器件工艺为核心, 重点介绍了SiC材料生长、表面清洗、欧姆接触、肖特基接触、离子注入、干法刻蚀、电解质制备等关键工艺技术, 以及高功率SiC单极和双极开关器件、SiC纳米结构的制造和器件集成等, 每一部分都涵盖了上百篇相关文献, 以反映这些方面的最新成果和发展趋势。

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