MARC状态：已编 文献类型：中文图书 浏览次数：12
- 题名/责任者:
- 用于集成电路仿真和设计的FinFET建模/(印度)尤盖希·辛格·楚罕(Yogesh Singh Chauhan)著
- 出版发行项:
- 北京:机械工业出版社,2020
- ISBN及定价:
- 978-7-111-65981-5/CNY99.00
- 载体形态项:
- 239页;24cm
- 丛编项:
- 微电子与集成电路先进技术丛书
- 个人责任者:
- 著 楚罕
- 个人次要责任者:
- 陈铖颖
- 中图法分类号:
- TN402
- 提要文摘附注:
- 本书从三维结构的原理、物理效应入手，详细讨论了FinFET紧凑模型（BSIM-CMG）产生的背景、原理、参数以及实现方法；同时讨论了在模拟和射频集成电路设计中所采用的仿真模型。本书避开了繁杂的公式推导，而进行了更为直接的机理分析，力求使得读者从工艺、器件层面理解BSIM-CMG的特点和使用方法。
- 使用对象附注:
- 微电子学与固体电子学、电子信息工程等专业高年级本科生、研究生，以及相关领域的工程师
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| 索书号 | 条码号 | 年卷期 | 馆藏地 | 书刊状态 | 还书位置 |
| TN402/9 | 1842702 |  自然科学书库-四楼西北
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可借 | 自然科学书库-四楼西北 | |
| TN402/9 | 1842703 | 自然科学书库-四楼西北
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可借 | 自然科学书库-四楼西北 | |
| TN402/9 | 1842704 | 自然科学书库-四楼西北
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可借 | 自然科学书库-四楼西北 |
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