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题名/责任者:

SiC/GaN功率半导体封装和可靠性评估技术/(日)菅沼克昭编著

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2021

ISBN及定价:

978-7-111-66953-1/CNY89.00

载体形态项:

195页;24cm

丛编项:

新型电力电子器件丛书

个人责任者:

著 菅沼克昭

个人次要责任者:

何钧

中图法分类号:

TN305.94

提要文摘附注:

本书重点介绍全球功率半导体行业发展潮流中的宽禁带功率半导体封装的基本原理和器件可靠性评价技术。书中以封装为核心，由熟悉各个领域前沿的专家详细解释当前的状况和问题。主要章节为宽禁带功率半导体的现状和封装、模块结构和可靠性问题、引线键合技术、芯片贴装技术、模塑树脂技术、绝缘基板技术、冷却散热技术、可靠性评估和检查技术等。尽管极端环境中的材料退化机制尚未明晰，书中还是总结设计了新的封装材料和结构设计，以尽量阐明未来的发展方向。

使用对象附注:

相关的半导体器件与集成电路设计、工艺设备、应用、产业规划和投资领域人士

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