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题名/责任者:

功率半导体器件:原理、特性和可靠性/(德)Josef Lutz[等]著 卞抗，杨莺，刘静译

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2013

ISBN及定价:

978-7-111-41727-9/CNY98.00

载体形态项:

11,435页;24cm

并列正题名:

Semiconductor power devices: physics, characteristics, reliability

丛编项:

国际电气工程先进技术译丛

个人责任者:

(德) 卢茨 (Lutz, Josef) 著

个人次要责任者:

卞抗 译

个人次要责任者:

杨莺 译

个人次要责任者:

刘静 (半导体器件) 译

学科主题:

功率半导体器件

中图法分类号:

TN303

题名责任附注:

著者还有：Heinrich Schlangenotto ，Uwe Scheuermann ，Rik De Doncker

版本附注:

由Springer授权出版

相关题名附注:

封面英文题名：Semiconductor power devices: physics, characteristics, reliability

提要文摘附注:

本书介绍了功率半导体器件的原理、特性和可靠性技术，器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件，包括二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT和功率继承器件等。

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