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题名/责任者:

碳化硅功率器件:特性、测试和应用技术/高远, 张岩编著

版本说明:

第2版

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2025

ISBN及定价:

978-7-111-77893-6/CNY149.00

载体形态项:

XIX, 536页:图;24cm

并列正题名:

Silicon Carbide power semiconductor devices:characteristics, testing and applications

丛编项:

电力电子新技术系列图书

个人责任者:

高远 编著

个人责任者:

张岩 编著

学科主题:

功率半导体器件

中图法分类号:

TN303

相关题名附注:

英文题名取自封面

责任者附注:

高远, 现任泰科天润应用测试中心总监。中国电工技术学会电力电子专业委员会高级会员及青年工程师工作组委员, 第三代半导体产业技术创新战略联盟产业导师, 泰克科技电源功率器件领域外部专家。

责任者附注:

高远, 2008年保送进入西安交通大学钱学森实验班, 2012年和2015年于西安交通大学分别获得电气工程专业学士和硕士学位。现任泰科天润有限公司应用测试中心总监, 中国电工技术学会电力电子专业委员会委员, 中国电工技术学会科技传播与出版专业委员会委员, 第三代半导体产业技术创新战略联盟产业导师, 泰克科技电源功率器件领域外部专家。张岩, 西安交通大学电气学院副教授, 博士生导师, 2014年西安交通大学电气工程博士毕业留校任教至今, 2016-2017年于加拿大女王大学从事博士后访问研究。主要研究方向为碳化硅器件测试及应用技术, 高性能电力电子变换及其先进数字控制技术。

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书综合了近几年工业界的最新进展和学术界的最新研究成果, 详细介绍并讨论了碳化硅功率器件的基本原理、发展现状与趋势、特性及测试方法、应用技术和各应用领域的方案。本书共分为12章, 内容涵盖功率半导体器件基础, SiC二极管的主要特性, SiCMOSFET的主要特性, SiC器件与Si器件特性对比, 双脉冲测试技术, SiC器件的测试、分析和评估技术, 高di/dt影响与应对 —— 关断电压过冲, 高dv/dt的影响与应对 —— 串扰, 高dv/dt影响与应对 —— 共模电流, 共源极电感影响与应对, 驱动电路, SiC器件的主要应用。

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