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题名/责任者:

纳米级CMOS VLSI电路:可制造性设计/(美) 桑迪普·昆杜, 阿斯温·斯雷德哈著 潘彪, 康旺, 蒋林君译

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2025

ISBN及定价:

978-7-111-78270-4/CNY79.00

载体形态项:

216页:图;24cm

统一题名:

Nanoscale CMOS VLSI circuits : design for manufacturability

其它题名:

可制造性设计

丛编项:

集成电路大师级系列

个人责任者:

昆杜 (Kundu, Sandip) 著

个人责任者:

斯雷德哈 (Sreedhar, Aswin) 著

个人次要责任者:

潘彪 译

个人次要责任者:

康旺 译

个人次要责任者:

蒋林君 译

学科主题:

纳米材料-CMOS电路-超大规模集成电路-电路设计

中图法分类号:

TN432.02

责任者附注:

桑迪普·昆杜, 博士, 美国马萨诸塞大学电子与计算机工程学院教授, IEEE会士, 曾在Intel 和IBM担任资深工程师, 担任IEEE TransactiononComputers等期刊的副主编, 发表过130多篇SCI文章, 并拥有12项专利。阿斯温·斯雷德哈, 博士, 美国马萨诸塞大学电子与计算机工程学院助理研究员, 研究兴趣包括VLSI系统可制造性设计的统计技术和电路可靠性。此前, 他曾在英特尔公司和AMD 公司实习。潘彪， 博士, 北京航空航天大学集成电路科学与工程学院副教授、博士生导师, 曾获批吴文俊人工智能科技进步二等奖, 北京航空航天大学青年拔尖人才, 主要从事数字集成电路设计、人工智能芯片相关的教学与科研工作, 近5年共发表专著1部、论文26篇等。康旺， 博士, 北京航空航天大学集成电路科学与工程学院教授、博士生导师, 毕业于北京航空航天大学与法国巴黎萨克雷大学(双博士学位), IEEE高级会员、中国电子学会高级会员, 入选全球前2%顶尖科学家榜单(2022~2024)、国家级特聘青年学者人才计划、北京市“科技新星计划等。

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书提供了经过验证的、优化电路设计的方法, 以提高产品的良率、可靠性和可制造性, 并减少缺陷和故障。本书首先介绍了CMOS VLSI设计的趋势, 并简要介绍了可制造性设计和可靠性设计的基本概念 ; 其次介绍了半导体制造的各种工艺步骤, 并探讨了工艺与器件偏差以及分辨率增强技术 ; 然后深入研究了半导体制造过程中的各种制造缺陷及其对电路的影响, 并讨论了可靠性问题的物理机制及其影响 ; 最后探讨了在电路实现过程中不同阶段采用DFM和DFR方法所带来的变化。

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