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题名/责任者:

硅基半导体应变理论与生长动力学/戴显英等著

出版发行项:

西安:西安电子科技大学出版社,2025

ISBN及定价:

978-7-5606-7503-9/CNY47.00

载体形态项:

189页:图;26cm

个人责任者:

戴显英 著

学科主题:

硅基材料-半导体物理学-研究

中图法分类号:

O47

一般附注:

国家自然科学基金资助 中央高校基本科研业务费专项资金资助

书目附注:

有书目 (第178-189页)

提要文摘附注:

本书分为9章, 主要内容包括硅基半导体应变理论与技术、硅基半导体应变能带理论与空间群、应变锗能带结构计算、硅基半导体应变弹塑性力学理论、临界带隙应变Ge1-xSnx合金能带特性与迁移率计算、硅基半导体应变材料的RPCVD计算流体动力学模拟研究、硅基半导体应变材料CVD生长机理与生长动力学模型、硅基半导体应变材料的缺陷形成机理与控制方法、硅基半导体应变材料的生长动力学与制备实验等。

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