潍坊科技学院图书馆书目检索系统

Online Public Access Catalogue

题名/责任者:

NAND闪存技术/(日) 有留诚一著 陈子琪译

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2025

ISBN及定价:

978-7-111-77348-1/CNY139.00

载体形态项:

XVIII, 328页:图;24cm

并列正题名:

NAND flash memory technologies

丛编项:

集成电路科学与工程丛书

个人责任者:

有留诚一 著

个人次要责任者:

陈子琪 译

学科主题:

半导体存贮器

中图法分类号:

TP333.5

出版发行附注:

由Wiley授权出版

相关题名附注:

英文题名取自封面

责任者附注:

Seiichi Aritome从2009年到2014年担任韩国利川市SK海力士公司的高级研究员。他在多个国家的多家公司为NAND闪存技术做出了超过27年的贡献。他曾在中国台湾省的力晶半导体公司担任项目主管, 在美国爱达荷州的美光科技公司担任高级工艺可靠性工程师, 在日本川崎市的东芝公司担任首席专家。他毕业于日本广岛大学高等物质科学研究生院, 获博士学位。他是IEEE会士 (Fellow) 和IEEE电子器件学会 (Electron DeviceSociety) 的成员。

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书讨论了基本和先进的NAND闪存技术, 包括NAND闪存的原理、存储单元技术、多比特位单元技术、存储单元的微缩挑战、可靠性和作为未来技术的3D单元。第1章描述了NAND闪存的背景和早期历史。第2章描述了器件的基本结构和操作。接下来, 第3章讨论了以微缩为重点的存储单元技术, 并且第4章介绍了多电平存储单元的先进操作。第5章讨论了微缩的物理限制。第6章描述了NAND闪存的可靠性。第7章研究了3DNAND闪存单元, 并讨论了结构、工艺、操作、可扩展性和性能方面的优缺点。第8章讨论了3DNAND闪存面临的挑战。最后, 第9章总结并描述了未来NAND闪存的技术和市场前景。

豆瓣简介：