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题名/责任者:

CMOS纳米电子学:模拟和射频超大规模集成电路/(加) 克日什托夫·伊涅夫斯基主编 张德明 ... [等] 译

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2025

ISBN及定价:

978-7-111-76585-1/CNY129.00

载体形态项:

437页:图;24cm

统一题名:

СMOS nanoelectronics : analog and RF VLSI circuits

其它题名:

模拟和射频超大规模集成电路

丛编项:

集成电路大师级系列

个人责任者:

伊涅夫斯基 (Iniewski, Krzysztof) 主编

个人次要责任者:

张德明 译

学科主题:

纳米材料-CMOS电路-超大规模集成电路-电路设计

中图法分类号:

TN432.02

责任者附注:

克日什托夫·伊涅夫斯基, 博士,Redlen 技术公司研发主管, CMOS新兴技术公司执行理事, 资深电子工程师。张德明, 博士, 北京航空航天大学集成电路科学与工程学院副教授, 博士生导师, 入选中国博士后创新人才支持计划, 山东省泰山学者青年专家。伍连博, 博士, 北京航空航天大学集成电路科学与工程学院副教授, 博士生导师, 国家级高层次青年人才。张慧, 博士, 北京航空航天大学集成电路科学与工程学院研究员, 博士生导师, 国家级高层次人才。

书目附注:

有书目 (第436-437页)

提要文摘附注:

本书主要分为三部分: 射频电路、高速电路和高精度电路。射频电路部分首先介绍了纳米级CMOS电路设计所面临的挑战以及面临的主要设计问题 ; 其次详细介绍了射频收发器设计 (包括混频器、局部振荡器、功率放大器等关键模块) 、全数字射频信号发生器设计、倍频器和射频信号滤波器的设计, 以及功率放大器的设计。高速电路部分介绍了串行输入/输出链路设计、锁相环相关概念和原理、延迟锁相环的设计, 以及数字时钟信号发生器的设计与实现。高精度电路部分介绍了纳米工艺下模拟电路设计所面临的挑战、1/f降噪技术、ΣΔ设计, 以及用于电力线通信的模/数转换器。

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