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题名/责任者:

半导体存储器件与电路/(美) 余诗孟著 高滨, 唐建石, 吴华强译

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2024

ISBN及定价:

978-7-111-76264-5/CNY99.00

载体形态项:

XII, 195页:图 (部分彩图);24cm

统一题名:

Semiconductor memory devices and circuits

丛编项:

集成电路科学与工程丛书

个人责任者:

余诗孟 著

个人次要责任者:

高滨 译

个人次要责任者:

唐建石 译

个人次要责任者:

吴华强 译

学科主题:

半导体器件

中图法分类号:

TN303

出版发行附注:

由Taylor & Francis出版集团旗下, CRC出版公司授权出版

相关题名附注:

原文题名取自封面

责任者附注:

余诗孟, 是佐治亚理工学院电子与计算机工程系教授, 也是IEEE会士 (Fellow)。余教授的研究兴趣包括用于高能效计算系统的半导体器件和集成电路。

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书对半导体存储器技术进行了全面综合的介绍, 覆盖了从底层的器件及单元结构到顶层的阵列设计, 且重点介绍了近些年的工艺节点缩小趋势和最前沿的技术。本书第1部分讨论了主流的半导体存储器技术, 第2部分讨论了多种新型的存储器技术, 这些技术都有潜力能够改变现有的存储层级, 同时也介绍了存储器技术在机器学习或深度学习中的新型应用。

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