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题名/责任者:

半导体材料及器件辐射缺陷与表征方法/李兴冀 ... 等编著

出版发行项:

哈尔滨:哈尔滨工业大学出版社,2023

ISBN及定价:

978-7-5767-0544-7 精装/CNY128.00

载体形态项:

401页:图 (部分彩图);25cm

并列正题名:

Characterization methods for radiation induced defects in semiconductor materials and devices

丛编项:

材料与器件辐射效应及加固技术研究著作

个人责任者:

李兴冀 编著

学科主题:

半导体材料-研究

学科主题:

半导体器件-研究

中图法分类号:

TN304

中图法分类号:

TN303

一般附注:

国家出版基金项目 国家出版基金资助项目

题名责任附注:

题名页题其余责任者: 杨剑群, 徐晓东, 应涛等

书目附注:

有书目和索引

提要文摘附注:

全书共分为4章, 系统阐述了辐射诱导半导体缺陷的相关理论、数值模拟方法、表征技术及应用。空间辐射诱导缺陷是导致电子元器件性能退化的重要原因, 然而辐射诱导缺陷的形成、演化和性质与半导体材料本身物理属性、器件类型及结构密切相关。

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