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题名/责任者:

掺杂GaN纳米线制备技术/崔真, 吴辉, 李恩玲著

出版发行项:

北京:冶金工业出版社,2023

ISBN及定价:

978-7-5024-9640-1/CNY72.00

载体形态项:

158页:图;24cm

并列正题名:

Preparation technology of doped GaN nanowires

个人责任者:

崔真 著

个人责任者:

吴辉 著

个人责任者:

李恩玲 著

学科主题:

纳米材料-研究

中图法分类号:

TB383

相关题名附注:

英文题名取自封面

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书以西安理工大学光电材料制备与器件设计团队近20年所开展的CaN基材料制备与场发射特性研究为依托, 通过化学气相沉积法可控制备了Te掺杂、Sn掺杂、P掺杂、Ge掺杂、Sb掺杂、C-Sn共掺杂、Se-Te共掺杂GaN纳米线, 阐明了这些掺杂GaN纳米线的合成机理, 发现它们因具有低的功函数而具有优异的光电和场发射特性。

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