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题名/责任者:

集成电路器件抗辐射加固设计技术/闫爱斌 ... [等] 著

出版发行项:

北京:科学出版社,2023

ISBN及定价:

978-7-03-074714-3/CNY129.00

载体形态项:

214页:图;24cm

个人责任者:

闫爱斌 著

个人责任者:

倪天明 著

个人责任者:

黄正峰 著

学科主题:

集成电路-电子器件-抗辐射性-机械加固-设计

中图法分类号:

TN4

题名责任附注:

题名页题其余责任者：倪天明、黄正峰、崔杰

书目附注:

有书目 (第207-214页)

提要文摘附注:

本书从集成电路器件可靠性问题出发，具体阐述了辐射环境、辐射效应、软错误和仿真工具等背景知识，详细介绍了抗辐射加固设计（RHBD）技术以及在该技术中常用的相关组件，重点针对表决器、锁存器、主从触发器和静态随机访问存储器（SRAM）单元介绍了经典的和新颖的RHBD技术，扼要描述了相关实验并给出了容错性能和开销对比分析。

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