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题名/责任者:

高压厚膜SOI-LIGBT器件关键技术/张龙, 孙伟锋, 刘斯扬等著

出版发行项:

北京:人民邮电出版社,2023

ISBN及定价:

978-7-115-58481-6 精装/CNY149.00

载体形态项:

201页:彩图;25cm

并列正题名:

High-voltage LIGBT on thick SOI: key technologies

丛编项:

电子信息前沿专著系列

个人责任者:

张龙 著

个人责任者:

孙伟锋 著

个人责任者:

刘斯扬 著

学科主题:

厚膜-半导体功能器件-研究

中图法分类号:

TN389

一般附注:

国家出版基金项目 “十四五”时期国家重点出版物出版专项规划项目

责任者附注:

张龙，2010年于中国矿业大学获学士学位，2013年、2018年于东南大学分别获硕士、博士学位，2018-2020年在东南大学从事博士后研究工作。

提要文摘附注:

本书共7章，介绍了厚膜SOI-LIGBT器件的工作原理，分析了器件的耐压、导通、关断原理；然后围绕高压厚膜SOI-LIGBT器件的关键技术，研究了高压互连线屏蔽技术、电流密度提升技术和快速关断技术三大类技术，分析了U型沟道电流密度提升技术、双沟槽互连线屏蔽技术、复合集电极快速关断技术等9种技术；围绕高压厚膜SOI-LIGBT器件的鲁棒性，研究了关断失效、短路失效、开启电流过充、低温特性漂移；探讨了厚膜SOI-LIGBT器件的工艺和版图。

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