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题名/责任者:

气-固两相流旋转耦合场制备Si3N4颗粒混合过程流场分析/余冬玲, 张小辉, 吴南星著

出版发行项:

长春:吉林大学出版社,2021

ISBN及定价:

978-7-5692-7098-3/CNY65.00

载体形态项:

224页:图;24cm

个人责任者:

余冬玲 著

个人责任者:

张小辉 著

个人责任者:

吴南星 著

学科主题:

氮化硅陶瓷-制备

中图法分类号:

TQ174.75

题名责任附注:

正题名中3为Si的右下角标, 4为N的右下角标

书目附注:

有书目 (第217-224页)

提要文摘附注:

Si3N4陶瓷具有良好的抗氧化性、耐磨性、高导热性、抗热震性、耐碱侵蚀性、低电导率、抗熔融冰晶石润湿性等优点, 在航天航海、武器装备、核工程等领域具有广泛的应用前景。本书在阐述Si3N4陶瓷、粉体的制备技术背景的前提下, 通过建立数学模型求解Si3N4粉体运动特性, 并进行结构设计, 通过分析Si3N4粉体颗粒性能和不同空间参数对耦合场的影响规律深入地研究了气-固两相流旋转耦合场制备Si3N4颗粒混合过程流场特性, 以及轴-径组合结构、底-壁组合结构与Si3N4颗粒混合过程之间的内在关联性等方面内容。

使用对象附注:

氮化硅陶瓷制备研究人员

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