- 题名/责任者:
- IGBT疲劳失效机理及其健康状态监测/肖飞[等]编著
- 出版发行项:
- 北京:机械工业出版社,2019
- ISBN及定价:
- 978-7-111-63407-2/CNY59.00
- 载体形态项:
- 232页:图;24cm
- 个人责任者:
- 肖飞 编著
- 学科主题:
- 绝缘栅场效应晶体管-疲劳机理-监测
- 中图法分类号:
- TN386.2
- 题名责任附注:
- 编著还有：刘宾礼、罗毅飞、黄永乐
- 提要文摘附注:
- 本书通过详细分析IGBT芯片与封装疲劳失效机理，在研究失效特征量随疲劳老化时间变化规律的基础之上，通过将理论分析与解析描述相结合，建立了IGBT相关电气特征量的健康状态监测方法，对处于不同寿命阶段的IGBT器件健康状态进行有效评估。
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| 索书号 | 条码号 | 年卷期 | 馆藏地 | 书刊状态 | 还书位置 |
| TN386.2/5 | 1694522 |  自然科学书库-四楼西北
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可借 | 自然科学书库-四楼西北 | |
| TN386.2/5 | 1694523 | 自然科学书库-四楼西北
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可借 | 自然科学书库-四楼西北 | |
| TN386.2/5 | 1694524 | 自然科学书库-四楼西北
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可借 | 自然科学书库-四楼西北 |
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