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题名/责任者:

三维存储芯片技术/Rino Micheloni著 吴华强, 高滨, 钱鹤译

出版发行项:

北京:清华大学出版社,2020

ISBN及定价:

978-7-302-53134-0/CNY118.00

载体形态项:

xv, 277页:图;26cm

统一题名:

3D flash memories

丛编项:

新视野电子电气科技丛书

个人责任者:

米歇洛尼 (Micheloni, Rino) 著

个人次要责任者:

吴华强 译

个人次要责任者:

钱鹤 译

个人次要责任者:

高滨 译

学科主题:

集成芯片-研究

中图法分类号:

TN43

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书是关于三维存储器的专业书籍, 着眼于3D NAND闪存技术发展的未来, 结合3D NAND闪存技术和固态硬盘的市场趋势, 全面介绍了3D NAND闪存技术的工作原理、器件架构、工艺与应用等, 同时也覆盖三维阻变存储器等前沿内容, 是3D NAND闪存技术领域的一部不可多得的系统研究著作。

使用对象附注:

电子电气相关领域科研人员

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